WnJLp, которые наиболее типичны для составляющего транзистора с толстой базой в тиристоре. Большее значение KN ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Федотов Я.А.
Полупроводниковые приборы и их применение Сборник статей Выпуск 22
WnJLp, которые наиболее типичны для составляющего транзистора с толстой базой в тиристоре. Большее значение KN по сравнению с рп объясняется тем фактом, что при равных концентрациях дырок у эмиттера кривая распределения дырок р ( х) в базе кольцевого транзистора идет ниже, чем в базе полоскового. В результате величина р-рп, пропорциональная скорости рекомбинации, будет меньше в кольцевой структуре и большее число дырок достигнет коллектора.