WnJLp, которые наиболее типичны для составляющего транзистора с толстой базой в тиристоре. Большее значение KN ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Федотов Я.А. Полупроводниковые приборы и их применение Сборник статей Выпуск 22


WnJLp, которые наиболее типичны для составляющего транзистора с толстой базой в тиристоре. Большее значение KN по сравнению с рп объясняется тем фактом, что при равных концентрациях дырок у эмиттера кривая распределения дырок р ( х) в базе кольцевого транзистора идет ниже, чем в базе полоскового. В результате величина р-рп, пропорциональная скорости рекомбинации, будет меньше в кольцевой структуре и большее число дырок достигнет коллектора.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

WnJLp,  которые наиболее типичны для составляющего транзистора с толстой базой в тиристоре.  Большее значение KN по сравнению с рп объясняется тем фактом,  что при равных концентрациях дырок у эмиттера кривая распределения дырок р ( х) в базе кольцевого транзистора идет ниже,  чем в базе полоскового.  В результате величина р-рп,  пропорциональная скорости рекомбинации,  будет меньше в кольцевой структуре и большее число дырок достигнет коллектора.