Для МДП-транзисторов, для приборов с зарядовой связью и для интегральных микросхем на МДП-структурах необходимо использовать ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Копылов И.П. Справочник по электрическим машинам Т3


Для МДП-транзисторов, для приборов с зарядовой связью и для интегральных микросхем на МДП-структурах необходимо использовать кристаллы полупроводника с малой плотностью поверхностных состояний, т.е. поверхностных состояний вблизи границы раздела кристалла полупроводника и диэлектрика. При современной технологии низкую плотность поверхностных состояний удается получить пока только на гетеропереходе между кремнием и диоксидом кремния.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Для МДП-транзисторов, для приборов с зарядовой связью и для интегральных микросхем на МДП-структурах необходимо использовать кристаллы полупроводника с малой плотностью поверхностных состояний, т.е. поверхностных состояний вблизи границы раздела кристалла полупроводника и диэлектрика. При современной технологии низкую плотность поверхностных состояний удается получить пока только на гетеропереходе между кремнием и диоксидом кремния.