Из-за высоких коэффициентов рассея-нпя электронов их дифракция при больших брэгговских углах дает большее количество отражений, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Майссела Л.N. Технология тонких пленок Часть 2


Из-за высоких коэффициентов рассея-нпя электронов их дифракция при больших брэгговских углах дает большее количество отражений, чем рентгеновская. Желательно получать полные де-баевские кольца, поэтому если дифракция проводится в электронном микроскопе, приходится выбирать большую селекторную диафрагму. Практически хорошим способом при исследовании предпочтительной ориентации является наклон образца по отношению к падающему лучу, чтобы убедиться в отсутствии пропущенных колец. Последнее может произойти в случае нормального падения луча при наличии волокнистой текстуры, см. разд.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Из-за высоких коэффициентов рассея-нпя электронов их дифракция при больших брэгговских углах дает большее количество отражений, чем рентгеновская. Желательно получать полные де-баевские кольца, поэтому если дифракция проводится в электронном микроскопе, приходится выбирать большую селекторную диафрагму. Практически хорошим способом при исследовании предпочтительной ориентации является наклон образца по отношению к падающему лучу, чтобы убедиться в отсутствии пропущенных колец. Последнее может произойти в случае нормального падения луча при наличии волокнистой текстуры, см. разд.