По сравнению с транзисторами, полученными с помощью двойной односторонней диффузии, приборы с диффузионными эмиттером и ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Мазель Е.З.
Мощные транзисторы Вып 22
По сравнению с транзисторами, полученными с помощью двойной односторонней диффузии, приборы с диффузионными эмиттером и коллектором характеризуются прежде всего существенно меньшим сопротивлением насыщения. В случае структуры, подобной изображенной на рис. 6 - 6, эти транзисторы могут иметь очень малое сопротивление активной базы гб1 и в связи с этим в них может почти отсутствовать эффект концентрации тока к краю эмиттера. По этим двум причинам в транзисторах с диффузионными эмиттером и коллектором спад коэффициента усиления с ростом тока может быть выражен менее сильно, чем в транзисторах с диффузионной базой.