По сравнению с транзисторами, полученными с помощью двойной односторонней диффузии, приборы с диффузионными эмиттером и ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Мазель Е.З. Мощные транзисторы Вып 22


По сравнению с транзисторами, полученными с помощью двойной односторонней диффузии, приборы с диффузионными эмиттером и коллектором характеризуются прежде всего существенно меньшим сопротивлением насыщения. В случае структуры, подобной изображенной на рис. 6 - 6, эти транзисторы могут иметь очень малое сопротивление активной базы гб1 и в связи с этим в них может почти отсутствовать эффект концентрации тока к краю эмиттера. По этим двум причинам в транзисторах с диффузионными эмиттером и коллектором спад коэффициента усиления с ростом тока может быть выражен менее сильно, чем в транзисторах с диффузионной базой.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

По сравнению с транзисторами,  полученными с помощью двойной односторонней диффузии,  приборы с диффузионными эмиттером и коллектором характеризуются прежде всего существенно меньшим сопротивлением насыщения.  В случае структуры,  подобной изображенной на рис. 6 - 6,  эти транзисторы могут иметь очень малое сопротивление активной базы гб1 и в связи с этим в них может почти отсутствовать эффект концентрации тока к краю эмиттера.  По этим двум причинам в транзисторах с диффузионными эмиттером и коллектором спад коэффициента усиления с ростом тока может быть выражен менее сильно,  чем в транзисторах с диффузионной базой.