Выдержка из книги
Чопра К.N.
Тонкопленочные солнечные элементы
А / см2) обусловлен рекомбинацией носителей на границах зерен. Однако под влиянием границ зерен фототок уменьшается незначительно. Высокие значения напряжения холостого хода солнечных элементов со структурой металл - оксид - полупроводник на основе GaAsi xPx - я - GaAs - n - GaAs обеспечивает большая высота барьера. Согласно результатам измерений вольт-фарадных характери-ристик, ФБ1 2 эВ, что на 0 2 эВ больше высоты барьера у элементов с такой же структурой, но на основе лишь я - GaAs. При наличии слоя GaAsi xPx плотность обратного тока насыщения уменьшается на порядок величины.
