Выдержка из книги
Александров Л.И.
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Часть 1
При этом удается установить влияние загрязнений, в том числе окислов и карбидов, на протекание начальной стадии эпитаксии полупроводников. Однако последовательное рассмотрение кинетики накопления кластеров критических размеров требует привлечения методов физической кинетики. Это направление применительно к эпитакси-альному росту пленок развивается успешно [23 -25], но получаемые результаты носят обычно общий характер и привязка к реальным условиям эксперимента, проводимая с помощью ЭВМ, еще не всегда возможна. Во многих задачах оказывается достаточным кинетику процесса свести к изменению во времени эффективной скорости роста пленки, а рассмотрение роста - к анализу лимитирующих механизмов в конкретных условиях газотранспортной, жидкостной или вакуумной эпитаксии [25], однако уровень изученности многих процессов еще недостаточен для их описания.
![При этом удается установить влияние загрязнений, в том числе окислов и карбидов, на протекание начальной стадии эпитаксии полупроводников. Однако последовательное рассмотрение кинетики накопления кластеров критических размеров требует привлечения методов физической кинетики. Это направление применительно к эпитакси-альному росту пленок развивается успешно [23 -25], но получаемые результаты носят обычно общий характер и привязка к реальным условиям эксперимента, проводимая с помощью ЭВМ, еще не всегда возможна. Во многих задачах оказывается достаточным кинетику процесса свести к изменению во времени эффективной скорости роста пленки, а рассмотрение роста - к анализу лимитирующих механизмов в конкретных условиях газотранспортной, жидкостной или вакуумной эпитаксии [25], однако уровень изученности многих процессов еще недостаточен для их описания.](/pic/4396749XVEupMs0019374382.png)