Чтобы определить уровни энергии электрона в слое пространственного заряда в полупроводнике, сделаем сначала все возможные ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Андо Т.N.
Электронные свойства двумерных систем
Чтобы определить уровни энергии электрона в слое пространственного заряда в полупроводнике, сделаем сначала все возможные упрощающие предположения, не искажающие физической сущности рассматриваемой системы, а затем оценим их влияние на получаемые результаты. Согласно простейшему приближению Хартри, каждый электрон движется в поле среднего потенциала, создаваемого всеми электронами; многочастичными взаимодействиями при этом пренебрегают. Кроме того, используется приближение эффективной массы, в рамках которого некоторым образом учитывается микроскопическая структура полупроводника. Предполагается также, что потенциальный барьер на границе раздела полупроводник - диэлектрик достаточно велик, поэтому в ее плоскости, выбираемой при г 0, огибающую волновую функцию электрона можно считать равной нулю. Это приближение, хотя и не использовалось в первоначальном расчете Дьюка [441], лежит в основе большинства теоретических работ.