Напряжение прямого смещения, приложенное к р-п-пере-ходу, снижает потенциальный барьер и позволяет множеству дырок продиф-фундйровать через ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Джентри Ф.N. Управляемые полупроводниковые вентили


Напряжение прямого смещения, приложенное к р-п-пере-ходу, снижает потенциальный барьер и позволяет множеству дырок продиф-фундйровать через тгереход, благодаря чему концентрация неосновных носителей рп в n - области возрастает. Аналогично много электронов диффундирует при этом из п-области через барьер в р-область, так что концентрация пр неосновных носителей в р-области перехода возрастает. Как следует из формул (1.68) и (1.69), если к переходу приложено напряжение обратного смещения ( показатель экспоненты отрицателен), то концентрация неосновных носителей вблизи перехода становится меньше величины, соответствующей состоянию теплового равновесия. Если же приложено внешнее напряжение прямого смещения, то неосновные носители инжектируются через р - - переход, диффундируют от перехода и рекомбинируют с основными носителями, которые поставляются омическим контактом в количестве, необходимом для компенсации заряда инжектированных неосновных носителей.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Напряжение прямого смещения, приложенное к р-п-пере-ходу, снижает потенциальный барьер и позволяет множеству дырок продиф-фундйровать через тгереход, благодаря чему концентрация неосновных носителей рп в n - области возрастает. Аналогично много электронов диффундирует при этом из п-области через барьер в р-область, так что концентрация пр неосновных носителей в р-области перехода возрастает. Как следует из формул (1.68) и (1.69), если к переходу приложено напряжение обратного смещения ( показатель экспоненты отрицателен), то концентрация неосновных носителей вблизи перехода становится меньше величины, соответствующей состоянию теплового равновесия. Если же приложено внешнее напряжение прямого смещения, то неосновные носители инжектируются через р - - переход, диффундируют от перехода и рекомбинируют с основными носителями, которые поставляются омическим контактом в количестве, необходимом для компенсации заряда инжектированных неосновных носителей.