На этапе изображения эскиза топологии учитываются топологические ограничения и взаимосвязь элементов в отдельных блоках. Учитывая ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Валиев К.А. Полупроводниковые интегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах


На этапе изображения эскиза топологии учитываются топологические ограничения и взаимосвязь элементов в отдельных блоках. Учитывая регулярную структуру накопителя, необходимо для уменьшения его размеров рассмотреть возможность объединения связанных диффузионных или эпитаксиальных областей элементов памяти, принадлежащих одному слову или разряду. Если такие области могут быть достаточно сильно легированы, то целесообразно исследовать возможность их использования в качестве соединительных разрядных шин и шин выборки.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

На этапе изображения эскиза топологии учитываются топологические ограничения и взаимосвязь элементов в отдельных блоках.  Учитывая регулярную структуру накопителя,  необходимо для уменьшения его размеров рассмотреть возможность объединения связанных диффузионных или эпитаксиальных областей элементов памяти,  принадлежащих одному слову или разряду.  Если такие области могут быть достаточно сильно легированы,  то целесообразно исследовать возможность их использования в качестве соединительных разрядных шин и шин выборки.