Выдержка из книги
Горбачев В.В.
Физика полупроводников и металлов
По типу дырок, участвующих в образовании экситонов, различают три серии экситонов: А -, В-и С-экситоны. Линии экситонных А - и В-серий перекрываются, и расшифровка экситонных спектров была бы весьма затруднительна, если бы не различная поляризационная зависимость этих серий. При различных поляризациях падающего на кристалл света можно наблюдать или линии всех серий, или только линии В - и С-серий, что дает возможность разделить налагающиеся спектры А-и Д - серий. Изучение экситонных спектров поглощения и отражения позволяет получить важную информацию о зонной структуре полупроводника и не только очень точно определить ширину его запрещенной зоны, но и рассчитать расщепление подзон валентной зоны и эффективные массы носителей заряда. Изучение зеемановского расщепления экситонных состояний в магнитном поле позволяет найти симметрию волновых функций, определяющих состояние носителей заряда в разрешенных зонах, что весьма важно для теоретического расчета зонной структуры полупроводников.
