Выдержка из книги
Андреев В.М.
Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения
ВАХ реальных диодов с р - re - переходом могут заметно отличаться от рассмотренной ВАХ идеализированного диода. Это касается диапазона как малых напряжений смещения, так и больших. В диапазоне малых напряжений, помимо рассмотренного нами диффузионного механизма протекания тока через р - ге-переход, могут существовать еще туннельный и рекомбинационный механизмы. Туннельный ток возникает при прямом и обратном смещении в тонком р - га-переходе, образованном очень сильно легированными областями п - и р-типа. Такие уровни легирования обычно не используются для создания рабочего р - га-перехода солнечных элементов. Рекомбинационный ток при прямом смещении обусловлен присутствием неконтролируемых примесей, создающих разрешенные уровни энергии в глубине запрещенной зоны. На эти же уровни попадают и дырки из р-области. Эти носители тока исчезают в результате рекомбинации и освобождают глубокие уровни для новых электронов и дырок.
