При ионной бомбардировке поверхности магнитноодноосной пленки вслоеД / г, примыкающем к этой поверхности ( рис. ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Миловзоров В.П. Электромагнитные устройства автоматики


При ионной бомбардировке поверхности магнитноодноосной пленки вслоеД / г, примыкающем к этой поверхности ( рис. 15.37, и), возникают нарушения ( имплантации) кристаллической решетки в виде смещений атомов, которые стремятся вызвать локальное расширение решетки в области ионно-имплантированного ( ИИ) слоя. Так как ненарушенный слой кристаллической пленки удерживает значительно более тонкий приповерхностный слой от расширения в параллельных ей направлениях, ИИ-слой находится в состоянии плоскостного сжатия, которое в феррит-гранатах с отрицательной магнитострикцией вызывает появление плоскостной магнитной анизотропии. При этом направление намагниченности J ИИ-слоя отклоняется от оси z на угол 0, образуя составляющую J, лежащую в плоскости этого слоя, которая и определяет его свойства.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

При ионной бомбардировке поверхности магнитноодноосной пленки вслоеД / г, примыкающем к этой поверхности ( рис. 15.37, и), возникают нарушения ( имплантации) кристаллической решетки в виде смещений атомов, которые стремятся вызвать локальное расширение решетки в области ионно-имплантированного ( ИИ) слоя. Так как ненарушенный слой кристаллической пленки удерживает значительно более тонкий приповерхностный слой от расширения в параллельных ей направлениях, ИИ-слой находится в состоянии плоскостного сжатия, которое в феррит-гранатах с отрицательной магнитострикцией вызывает появление плоскостной магнитной анизотропии. При этом направление намагниченности J ИИ-слоя отклоняется от оси z на угол 0, образуя составляющую J, лежащую в плоскости этого слоя, которая и определяет его свойства.