Выдержка из книги
Глебова Г.Д.
Производство полупроводниковых приборов
При изготовлении диффузионных диодов глубина залегания перехода может составлять до 3 10 - 4 см; диапазон пробивного напряжения при заданном удельном сопротивлении кремния устанавливается подбором режима диффузии.
