Как указывалось ранее, небольшое несоответствие является важным, но не единственным условием эпитаксии. При эпитаксиальном росте ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Майссела Л.N. Технология тонких пленок Часть 2


Как указывалось ранее, небольшое несоответствие является важным, но не единственным условием эпитаксии. При эпитаксиальном росте кристаллическая плоскость растущего слоя параллельна плоскости подложки. Если поверхность подложки имеет грани, то наращивание будет происходить параллельно им. Во многих случаях наблюдаемая ориентация не соответствует наибольшему геометрическому соответствию параметров решетки на поверхности раздела пленка-подложка. Это является основным при рассмотрении соответствия параметров решетки пленки и подложки. Для осуществления эпитаксиального наращивания необходим четкий контроль как параметров осаждения, так и параметров подложки. Параметры осаждения определяются особенностями используемой технологии, а свойства подложки остаются неизменными. В следующем разделе будут рассмотрены оптимальные для процесса эпитаксиального роста параметры подложки и осаждения.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Как указывалось ранее, небольшое несоответствие является важным, но не единственным условием эпитаксии. При эпитаксиальном росте кристаллическая плоскость растущего слоя параллельна плоскости подложки. Если поверхность подложки имеет грани, то наращивание будет происходить параллельно им. Во многих случаях наблюдаемая ориентация не соответствует наибольшему геометрическому соответствию параметров решетки на поверхности раздела пленка-подложка. Это является основным при рассмотрении соответствия параметров решетки пленки и подложки. Для осуществления эпитаксиального наращивания необходим четкий контроль как параметров осаждения, так и параметров подложки. Параметры осаждения определяются особенностями используемой технологии, а свойства подложки остаются неизменными. В следующем разделе будут рассмотрены оптимальные для процесса эпитаксиального роста параметры подложки и осаждения.