Без учета возможности образования экситонов путем непрямых оптических переходов длинноволновая граница собственной фотопроводимости должна совпасть ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Без учета возможности образования экситонов путем непрямых оптических переходов длинноволновая граница собственной фотопроводимости должна совпасть с краем собственного поглощения. Если такую возможность принять во внимание, то в области комнатных температур длинноволновая граница фотопроводимости совмещается с длинноволновым краем кривой экситонного поглощения, поскольку вследствие чрезвычайно малой энергии связи экситонов они вероятнее всего быстро диссоциируют при комнатных температурах и создают пары свободных электронов и дырок. Однако при очень низких температурах фотопроводимость должна начаться при несколько большей частоте, чем та, которая соответствует краю полосы экситонного поглощения. В случае изоляторов этот, критерий обычно служил главным аргументом при установлении экситонного характера той или иной части спектра поглощения.
