Проведены экспериментальные исследования коэффициентов распределения Те и Zn в растворах GaSb - InSb в условиях ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Кузнецов Ф.А. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2


Проведены экспериментальные исследования коэффициентов распределения Те и Zn в растворах GaSb - InSb в условиях вытягивания кристаллов по Чохральскому. Показано, что зависимость коэффициентов распределения обоих легирующих элементов от состава расплавов GaSb - InSb характеризуется сильным отрицательным отклонением от аддитивной прямой, что, по-видимому, связано с проявлением мешмолекулярного взаимодействия в растворах GaSb - InSb, приводящего к образованию упорядоченных структур.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Проведены экспериментальные исследования коэффициентов распределения Те и Zn в растворах GaSb  -  InSb в условиях вытягивания кристаллов по Чохральскому.  Показано,  что зависимость коэффициентов распределения обоих легирующих элементов от состава расплавов GaSb  -  InSb характеризуется сильным отрицательным отклонением от аддитивной прямой,  что,  по-видимому,  связано с проявлением мешмолекулярного взаимодействия в растворах GaSb  -  InSb,  приводящего к образованию упорядоченных структур.