Проведены экспериментальные исследования коэффициентов распределения Те и Zn в растворах GaSb - InSb в условиях ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Кузнецов Ф.А.
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2
Проведены экспериментальные исследования коэффициентов распределения Те и Zn в растворах GaSb - InSb в условиях вытягивания кристаллов по Чохральскому. Показано, что зависимость коэффициентов распределения обоих легирующих элементов от состава расплавов GaSb - InSb характеризуется сильным отрицательным отклонением от аддитивной прямой, что, по-видимому, связано с проявлением мешмолекулярного взаимодействия в растворах GaSb - InSb, приводящего к образованию упорядоченных структур.