При эпитаксиальном методе в качестве исходного монокристалла используют пластинки из почти вырожденного полупроводника р - ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Вишневский А.И. Силовые, ионные и полупроводниковые приборы


При эпитаксиальном методе в качестве исходного монокристалла используют пластинки из почти вырожденного полупроводника р - или n - типа с удельным сопротивлением порядке0 001 - - 0 01 Ом - см. Эти пластинки, являющиеся механическим держателем, должны создавать хороший омический контакт с эпитаксиальной пленкой. На предварительно отшлифованной и отполированной пластинке выращивают слой полупроводника толщиной до 50 мкм и в нем создают необходимую структуру. Эпитаксиальным методом можно получить как германиевые, так и кремниевые приборы.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

При эпитаксиальном методе в качестве исходного монокристалла используют пластинки из почти вырожденного полупроводника р - или n - типа с удельным сопротивлением порядке0 001 - - 0 01 Ом - см. Эти пластинки, являющиеся механическим держателем, должны создавать хороший омический контакт с эпитаксиальной пленкой. На предварительно отшлифованной и отполированной пластинке выращивают слой полупроводника толщиной до 50 мкм и в нем создают необходимую структуру. Эпитаксиальным методом можно получить как германиевые, так и кремниевые приборы.