Радиусы ионов элементов вставных декад имеют тенденцию уменьшаться с ростом порядкового номера элемента ( ( ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Карапетьян М.Х. Общая и неорганическая химия


Радиусы ионов элементов вставных декад имеют тенденцию уменьшаться с ростом порядкового номера элемента ( ( / - сжатие), хотя зависимость радиусов ионов от заряда ядра имеет довольно сложный характер. Ход изменения радиуса п двухзаряд-ных ионов, находящихся в октаэдрическом окружении, в ряду Ca2 - Zn2 ( от Z 20 до Z 30) представлен на рис. 1.58. Неравномерное изменение п хорошо объясняет теория кристаллического поля. Действительно, при переходе от Са2 к V2 / - электроны попадают на слабо экранирующие 6-орбитали, что обусловливает сильное уменьшение радиуса иона при возрастании заряда ядра. В ионах Сг2 и Мп2 заполняются сильно экранирующие е8 - орбитали и радиус ионов при увеличении заряда ядра не уменьшается, а растет. Аналогичная зависимость наблюдается у следующих элементов: электроны заполняют сначала fcg - орбитали, а затем е8 - орбитали.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

 Радиусы ионов элементов вставных декад имеют тенденцию уменьшаться с ростом порядкового номера элемента ( ( / - сжатие),  хотя зависимость радиусов ионов от заряда ядра имеет довольно сложный характер.  Ход изменения радиуса п двухзаряд-ных ионов,  находящихся в октаэдрическом окружении,  в ряду Ca2 - Zn2 ( от Z 20 до Z 30) представлен на рис. 1.58. Неравномерное изменение п хорошо объясняет теория кристаллического поля.  Действительно,  при переходе от Са2 к V2 / - электроны попадают на слабо экранирующие 6-орбитали,  что обусловливает сильное уменьшение радиуса иона при возрастании заряда ядра.  В ионах Сг2 и Мп2 заполняются сильно экранирующие е8 - орбитали и радиус ионов при увеличении заряда ядра не уменьшается,  а растет.  Аналогичная зависимость наблюдается у следующих элементов:  электроны заполняют сначала fcg - орбитали,  а затем е8 - орбитали.