Диффузное рассеяние на дифракционных картинах может возникнуть из-за неправильного расположения атомов по узлам решетки, при ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Каули Д.N. Физика дифракции


Диффузное рассеяние на дифракционных картинах может возникнуть из-за неправильного расположения атомов по узлам решетки, при котором сохраняется лишь ближний порядок заполнения этих положений ( гл. Наиболее важный дифракционный эффект, возникающий благодаря наличию малых дефектов в кристаллах, часто связан с полем деформации в окружающей области кристалла. При наличии атомной вакансии, атома внедрения или пары атомов либо атома примеси ( замещения) соседние атомы могут смещаться из своих положений в усредненной решетке на значительные доли межатомных расстояний. Смещения атомов довольно медленно уменьшаются с увеличением расстояния от точечных дефектов, так что наличие дефекта влияет на положение большого числа атомов. В результате дифракционный эффект, связанный со смещениями атомов, может быть значительно сильнее дифракционных эффектов, вызванных самими примесными атомами, атомами внедрения или вакансиями.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Диффузное рассеяние на дифракционных картинах может возникнуть из-за неправильного расположения атомов по узлам решетки,  при котором сохраняется лишь ближний порядок заполнения этих положений ( гл.  Наиболее важный дифракционный эффект,  возникающий благодаря наличию малых дефектов в кристаллах,  часто связан с полем деформации в окружающей области кристалла.  При наличии атомной вакансии,  атома внедрения или пары атомов либо атома примеси ( замещения) соседние атомы могут смещаться из своих положений в усредненной решетке на значительные доли межатомных расстояний.  Смещения атомов довольно медленно уменьшаются с увеличением расстояния от точечных дефектов,  так что наличие дефекта влияет на положение большого числа атомов.  В результате дифракционный эффект,  связанный со смещениями атомов,  может быть значительно сильнее дифракционных эффектов,  вызванных самими примесными атомами,  атомами внедрения или вакансиями.