Выдержка из книги
Пасынков В.В.
Полупроводниковые приборы Изд5
Распределение носителей заряда в п-га - переходе ( рис. 2.13, в) показывает, что в отличие от р-га-перехода в данном случае отсутствует обедненный слой - слой с меньшей концентрацией основных носителей заряда по сравнению с концентрацией носителей заряда в слаболегированной области.