Выдержка из книги
Палатник Л.С.
Эпитаксиальные пленки
Зависимость vp f ( t) характеризуется двумя резко отличающимися участками: при t 1100 - 1260 С скорость роста не зависит от температуры, а в области 950 - 1100 С наблюдается экспоненциальная зависимость с энергией активации 37 1 ккал / молъ. При 950 С скорость роста мала и точность измерения низка. Вместе с тем вплоть до tn 920 С образуются эпитаксиальные пленки кремния.