Диффузионные резисторы могут быть также реализованы на основе любой из областей транзистора с приемлемыми для ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Харченко В.М. Основы электроники


Диффузионные резисторы могут быть также реализованы на основе любой из областей транзистора с приемлемыми для конкретных схем номинальными значениями сопротивления - от 5 до 50 кОм / квад-рат. Резисторы небольших номиналов формируют в виде прямоугольников между контактными площадками, резисторы больших номинальных значений имеют более сложную конфигурацию, например в виде змейки. Минимальная ширина активного слоя определяется разрешающей способностью фотолитографии и доходит до 3 мкм.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Диффузионные резисторы могут быть также реализованы на основе любой из областей транзистора с приемлемыми для конкретных схем номинальными значениями сопротивления - от 5 до 50 кОм / квад-рат. Резисторы небольших номиналов формируют в виде прямоугольников между контактными площадками, резисторы больших номинальных значений имеют более сложную конфигурацию, например в виде змейки. Минимальная ширина активного слоя определяется разрешающей способностью фотолитографии и доходит до 3 мкм.