Этот экспериментальный факт, по-видимому, можно объяснить тем, что адгезия пленок молибдена к графиту больше, чем ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Еременко В.Н. Физическая химия конденсированных фаз, сверхтвердых материалов и их границ раздела


Этот экспериментальный факт, по-видимому, можно объяснить тем, что адгезия пленок молибдена к графиту больше, чем на окисных подложках и, следовательно, сплошность пленки должна наступить при меньшей общей толщине пленки. По-видимому, также нужно учитывать, что при взаимодействии молибдена с графитом образуется карбид молибдена, смачивающийся металлом гораздо лучше, чем окисные соединения молибдена. В системе С - Mo - Sn ( Топ 900 С) критическая толщина равна, как и в системе С - Мо - Си ( Гоп 1150 С), 200 А. Это можно объяснить тем, что уже при температуре 900 С взаимодействие пленки с подложкой настолько велико, что дальнейшее повышение температуры до 1150 С не очень сказывается на структуре пленки. Если взаимодействие пленки с подложкой сильное, то продукты реакции смачиваются хуже, чем металл пленки, критическая толщина сдвигается в сторону больших толщин. Так, в системе С - Fe - Pb критическая толщина при температуре опыта 700 С о составляет 1000 А, а в системе С - V - Sn ( Топ 900 С) со 700 А. Эти данные соответствуют времени отжига пленок не больше 5 мин. При отжиге больше 5 мин получаются нестабильные результаты и критическая толщина сдвигается еще больше в сторону увеличения толщины пленки. Действительно, убыль свободной энергии А / 7 при образовании карбидов молибдена Мо2С и карбида железа Fe3C приблизительно одинакова и равна 0 75 ккал / моль ( 700 С); а для карбидов ванадия она значительно больше - 26, 1 ккал / моль ( 900 С), что находится в хорошем соответствии с полученными данными по смачиванию.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Этот экспериментальный факт,  по-видимому,  можно объяснить тем,  что адгезия пленок молибдена к графиту больше,  чем на окисных подложках и,  следовательно,  сплошность пленки должна наступить при меньшей общей толщине пленки.  По-видимому,  также нужно учитывать,  что при взаимодействии молибдена с графитом образуется карбид молибдена,  смачивающийся металлом гораздо лучше,  чем окисные соединения молибдена.  В системе С  -  Mo  -  Sn ( Топ 900 С) критическая толщина равна,  как и в системе С  -  Мо  -  Си ( Гоп 1150 С),  200 А.  Это можно объяснить тем,  что уже при температуре 900 С взаимодействие пленки с подложкой настолько велико,  что дальнейшее повышение температуры до 1150 С не очень сказывается на структуре пленки.  Если взаимодействие пленки с подложкой сильное,  то продукты реакции смачиваются хуже,  чем металл пленки,  критическая толщина сдвигается в сторону больших толщин.  Так,  в системе С  -  Fe  -  Pb критическая толщина при температуре опыта 700 С о составляет 1000 А,  а в системе С  -  V  -  Sn ( Топ 900 С) со 700 А.  Эти данные соответствуют времени отжига пленок не больше 5 мин.  При отжиге больше 5 мин получаются нестабильные результаты и критическая толщина сдвигается еще больше в сторону увеличения толщины пленки.  Действительно,  убыль свободной энергии А / 7 при образовании карбидов молибдена Мо2С и карбида железа Fe3C приблизительно одинакова и равна 0 75 ккал / моль ( 700 С);  а для карбидов ванадия она значительно больше  -  26,  1 ккал / моль ( 900 С),  что находится в хорошем соответствии с полученными данными по смачиванию.