Легко, однако, написать выражение для проводимости канала в одномерном случае, когда предполагается, что ионный заряд ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Бонч-Бруевич В.Л. Проблемы физики полупроводников


Легко, однако, написать выражение для проводимости канала в одномерном случае, когда предполагается, что ионный заряд и электрохимические потенциалы постоянны в направлении, параллельном поверхности, и не меняются со временем. Тогда проводимость канала - это поверхностная проводимость, создаваемая неосновными носителями тока в инверсионном слое вблизи поверхности. Так как канальная проводимость существенна только в случае ярко выраженного инверсионного слоя, то мы не сделаем большой ошибки, приравняв истинное число неосновных носителей на единицу площади ( вблизи поверхности) поверхностному избытку неосновных носителей. Пусть основание имеет проводимость n - типа, так что неосновными носителями являются дырки. Эта величина зависит от концентрации адсорбированных анионов и, следовательно, от химической природы окружающей среды. В этом случае интересна зависимость проводимости канала от напряжения, приложенного к р - / г-переходу в объеме полупроводника. Если рассматриваемая часть канала очень близка к объемному переходу, то достаточно сделать наши обычные предположения о постоянстве электрохимических потенциалов.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Легко, однако, написать выражение для проводимости канала в одномерном случае, когда предполагается, что ионный заряд и электрохимические потенциалы постоянны в направлении, параллельном поверхности, и не меняются со временем. Тогда проводимость канала - это поверхностная проводимость, создаваемая неосновными носителями тока в инверсионном слое вблизи поверхности. Так как канальная проводимость существенна только в случае ярко выраженного инверсионного слоя, то мы не сделаем большой ошибки, приравняв истинное число неосновных носителей на единицу площади ( вблизи поверхности) поверхностному избытку неосновных носителей. Пусть основание имеет проводимость n - типа, так что неосновными носителями являются дырки. Эта величина зависит от концентрации адсорбированных анионов и, следовательно, от химической природы окружающей среды. В этом случае интересна зависимость проводимости канала от напряжения, приложенного к р - / г-переходу в объеме полупроводника. Если рассматриваемая часть канала очень близка к объемному переходу, то достаточно сделать наши обычные предположения о постоянстве электрохимических потенциалов.