Выдержка из книги
Евсеев Ю.А.
Силовые полупроводниковые приборы
Таким образом, при наличии шунтировки не все дырки, поступающие в базу р2, приводят к смещению перехода / з в прямом направлении. Вследствие этого при одной и той же плотности обратного тока коллекторного перехода переход / 3 смещается в прямом направлении при наличии шунтировки несколько слабее, чем при отсутствии шунтировки.
