Выдержка из книги
Хамакава И.N.
Аморфные полупроводники и приборы на их основе
На рис. 4.2.8, б показаны зависимости основных свойств пленок а - Sii xCx: Н, полученных плазменным разложением [ SiH4 ( 0 5) СН4 ( 0 5) ], от концентрации легирующих примесей. Здесь также видна возможность управления типом и концентрацией носителей заряда. Темновая проводимость при добавлении в газовую смесь 1 % диборана или 0 2 % фосфина увеличивается до 10 5 и 10 - 3 См / см соответственно. Темновая проводимость нелегированных пленок при комнатной температуре из-за малости величины не поддается измерению. Минимальные значения энергии активации для пленок р - и л-типов составляют 0 4 и 0 3 эВ соответственно. Оптическая ширина запрещенной зоны в исследованных пленках зависит от легирования и уменьшается при росте концентрации обоих легирующих компонентов.
![На рис. 4.2.8, б показаны зависимости основных свойств пленок а - Sii xCx: Н, полученных плазменным разложением [ SiH4 ( 0 5) СН4 ( 0 5) ], от концентрации легирующих примесей. Здесь также видна возможность управления типом и концентрацией носителей заряда. Темновая проводимость при добавлении в газовую смесь 1 % диборана или 0 2 % фосфина увеличивается до 10 5 и 10 - 3 См / см соответственно. Темновая проводимость нелегированных пленок при комнатной температуре из-за малости величины не поддается измерению. Минимальные значения энергии активации для пленок р - и л-типов составляют 0 4 и 0 3 эВ соответственно. Оптическая ширина запрещенной зоны в исследованных пленках зависит от легирования и уменьшается при росте концентрации обоих легирующих компонентов.](/pic/48858180h1YESK0023261437.png)