Для осаждения эпитаксиальных пленок кремния, германия и гетероструктур кремний - германий обычно используются высокотемпературные ( ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Киреев В.Ю.
Мир электроники технологии микроэлектроники Химическое осаждение из газовой фазы
Для осаждения эпитаксиальных пленок кремния, германия и гетероструктур кремний - германий обычно используются высокотемпературные ( Т 700 С) термоактивированные хлоридные ( с применением хлорсодержащих соединений кремния и германия) и гид-ридные ( с применением водородосодержащих соединений кремния и германия) процессы ХОГФ, реализуемые в трубчатых, колпаковых и планарных реакторах атмосферного и пониженного давления.
