Структура GaAs - ЗШП-транзистора изображена на рис. 3.30. На монокристаллической пластине GaAs с высоким удельным ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Сугайто Т.N. Введение в микроэлектронику


Структура GaAs - ЗШП-транзистора изображена на рис. 3.30. На монокристаллической пластине GaAs с высоким удельным сопротивлением ( обычно порядка 108 Ом-см, поэтому такую пластину называют полуизолирующей подложкой) сформирован тонкий электропроводный слой n - типа, который называется активным слоем. В активном слое расположены области истока, затвора и стока. Для получения хороших омических контактов на активном слое n - типа под электродами истока и стока расположены п - области. Электрод затвора образует с активным слоем контакт Шоттки.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Структура GaAs - ЗШП-транзистора изображена на рис. 3.30. На монокристаллической пластине GaAs с высоким удельным сопротивлением ( обычно порядка 108 Ом-см, поэтому такую пластину называют полуизолирующей подложкой) сформирован тонкий электропроводный слой n - типа, который называется активным слоем. В активном слое расположены области истока, затвора и стока. Для получения хороших омических контактов на активном слое n - типа под электродами истока и стока расположены п - области. Электрод затвора образует с активным слоем контакт Шоттки.