Инверсия приповерхностных участков кремния в области эмиттерного перехода транзистора, которая создает микроканал между контактами базы ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Матавкин В.В. Быстродействующие операционные усилители


Инверсия приповерхностных участков кремния в области эмиттерного перехода транзистора, которая создает микроканал между контактами базы и эмиттера, может возникать из-за блуждающих ионов, например натрия и калия, их упорядоченного скопления на дефектах в приповерхностном слое кремния. Для уменьшения этого влияния используют методы стабилизации поверхности, термический отжиг структур. Исключение активного действия паразитного р-п - р транзистора обеспечивается смещением эмиттерного перехода в закрытое состояние. Для этого потенциал в и-области должен быть всегда больше потенциала любой - области, находящейся в том же кармане.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Инверсия приповерхностных участков кремния в области эмиттерного перехода транзистора, которая создает микроканал между контактами базы и эмиттера, может возникать из-за блуждающих ионов, например натрия и калия, их упорядоченного скопления на дефектах в приповерхностном слое кремния. Для уменьшения этого влияния используют методы стабилизации поверхности, термический отжиг структур. Исключение активного действия паразитного р-п - р транзистора обеспечивается смещением эмиттерного перехода в закрытое состояние. Для этого потенциал в и-области должен быть всегда больше потенциала любой - области, находящейся в том же кармане.