Получение эпитаксиальных слоев кремния на низкоомных подложках сопровождается неконтролируемым переносом примеси из подложки в растущий ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Кузнецов Ф.А. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2


Получение эпитаксиальных слоев кремния на низкоомных подложках сопровождается неконтролируемым переносом примеси из подложки в растущий эпитаксиальный слой ( процесс автолегирования) [1], что приводит к ухудшению электрофизических характеристик структур. Установлено [2], что одной из причин автолегирования вблизи границы раздела пленка - подложка является твердофазная диффузия примеси из подложки. Относительно механизма автолегирования эпитаксиального слоя по всей его толщине общепринятого мнения нет. Джойс и другие исследователи [5], используя метод радиоактивных изотопов, показали, что в процессе эпитаксиального наращивания происходит перенос примесей с тыльной стороны подложки к растущему слою через газовую фазу, так как маскирование тыльной стороны окисным слоем заметно снижает уровень автолегирования. Аналогичной точки зрения на механизм автолегирования придерживаются авторы работ [6, 7], изучавшие распределение сурьмы и бора в эпитаксиальных слоях.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Получение эпитаксиальных слоев кремния на низкоомных подложках сопровождается неконтролируемым переносом примеси из подложки в растущий эпитаксиальный слой ( процесс автолегирования) [1], что приводит к ухудшению электрофизических характеристик структур. Установлено [2], что одной из причин автолегирования вблизи границы раздела пленка - подложка является твердофазная диффузия примеси из подложки. Относительно механизма автолегирования эпитаксиального слоя по всей его толщине общепринятого мнения нет. Джойс и другие исследователи [5], используя метод радиоактивных изотопов, показали, что в процессе эпитаксиального наращивания происходит перенос примесей с тыльной стороны подложки к растущему слою через газовую фазу, так как маскирование тыльной стороны окисным слоем заметно снижает уровень автолегирования. Аналогичной точки зрения на механизм автолегирования придерживаются авторы работ [6, 7], изучавшие распределение сурьмы и бора в эпитаксиальных слоях.