При расщеплении уровней одиночного атома эти две зоны могут перекрываться ( рис. 9 - 2, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Куликовский А.А. Справочник по радиоэлектронике Т 1


При расщеплении уровней одиночного атома эти две зоны могут перекрываться ( рис. 9 - 2, о) сливаясь как бы в одну частично заполненную зону. При этом в непосредственной близости от верхних занятых электронами уровней оказываются свободные энергетические состояния, для перехода в которые электронам достаточно самых незначительных приращений энергии. Такие приращения энергии способно сообщить внешнее электрическое поле, под действием которого немедленно начинается направленное движение электронов внутри тела, проявляющееся в форме электрического тока. Наличием частично заполненной зоны объясняется хорошая электропроводность металлов-проводников.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

При расщеплении уровней одиночного атома эти две зоны могут перекрываться ( рис. 9 - 2,  о) сливаясь как бы в одну частично заполненную зону.  При этом в непосредственной близости от верхних занятых электронами уровней оказываются свободные энергетические состояния,  для перехода в которые электронам достаточно самых незначительных приращений энергии.  Такие приращения энергии способно сообщить внешнее электрическое поле,  под действием которого немедленно начинается направленное движение электронов внутри тела,  проявляющееся в форме электрического тока.  Наличием частично заполненной зоны объясняется хорошая электропроводность металлов-проводников.