Для р-п-р-транзи - сторов будут справедливы практически все выводы, полученные при анализе процессов в рассматриваемой ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применения


Для р-п-р-транзи - сторов будут справедливы практически все выводы, полученные при анализе процессов в рассматриваемой базовой ячейке. Для создания структуры ячейки в качестве исходного материала или подложки используется низкоомный л - слой, на обратной стороне которого создается омический контакт коллектора. На подложке эпитаксиально выращивается высокоомный коллекторный п - слой, в котором методом диффузии формируется слой р-базы. Таким образом, в структуре образуется асимметричный коллекторный р - гг-переход. Далее на поверхности р-базы проводят пленарный процесс. Он заключается а создании пленки диоксида кремния и проведении через специально вытравленные окна имплантации донорнои примеси для формирования эмиттер-ных л - областей. После этого на верхней поверхности кристалла создают металлизированные слои для выводов базы и эмиттера, разделенные изолирующими участками диоксида кремния. Таким образом создается вертикальная структура силового биполярного транзистора. Рассмотрим основные закономерности физических процессов, протекающих в данной ячейке.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Для р-п-р-транзи - сторов будут справедливы практически все выводы, полученные при анализе процессов в рассматриваемой базовой ячейке. Для создания структуры ячейки в качестве исходного материала или подложки используется низкоомный л - слой, на обратной стороне которого создается омический контакт коллектора. На подложке эпитаксиально выращивается высокоомный коллекторный п - слой, в котором методом диффузии формируется слой р-базы. Таким образом, в структуре образуется асимметричный коллекторный р - гг-переход. Далее на поверхности р-базы проводят пленарный процесс. Он заключается а создании пленки диоксида кремния и проведении через специально вытравленные окна имплантации донорнои примеси для формирования эмиттер-ных л - областей. После этого на верхней поверхности кристалла создают металлизированные слои для выводов базы и эмиттера, разделенные изолирующими участками диоксида кремния. Таким образом создается вертикальная структура силового биполярного транзистора. Рассмотрим основные закономерности физических процессов, протекающих в данной ячейке.