Винтовая дислокация приводит к образованию ступеньки на грани кристалла. Если рост происходит путем присоединения молекул ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Стрикленд Констэбл Р.Ф. Кинетика и механизм кристаллизации


Винтовая дислокация приводит к образованию ступеньки на грани кристалла. Если рост происходит путем присоединения молекул к краю ступени, легко видеть, что ступенька должна в процессе роста закручиваться в спираль. Спиральные ступени многократно наблюдались на гранях кристаллов, причем высота ступеней составляла от одного до многих межмолекулярных расстояний. Дислокации воздействуют на скорость роста кристаллов. Важно иметь в виду, что поскольку дислокации не могут оканчиваться внутри кристалла, то любая дислокация, пересекающая грань кристалла, будет продолжать выходить на грань до тех пор, пока она не выйдет в процессе роста на боковую поверхность грани.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Винтовая дислокация приводит к образованию ступеньки на грани кристалла.  Если рост происходит путем присоединения молекул к краю ступени,  легко видеть,  что ступенька должна в процессе роста закручиваться в спираль.  Спиральные ступени многократно наблюдались на гранях кристаллов,  причем высота ступеней составляла от одного до многих межмолекулярных расстояний.  Дислокации воздействуют на скорость роста кристаллов.  Важно иметь в виду,  что поскольку дислокации не могут оканчиваться внутри кристалла,  то любая дислокация,   пересекающая грань кристалла,  будет продолжать выходить на грань до тех пор,  пока она не выйдет в процессе роста на боковую поверхность грани.