Такая зависимость а от толщины слоя полупроводника и от угла падения электронов доказывает, что образование ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Иоффе А.Ф. Полупроводники в современной физике


Такая зависимость а от толщины слоя полупроводника и от угла падения электронов доказывает, что образование вторичных электронов происходит в толще полупроводника; эффективным оказывается поверхностный слой толщиной в несколько десятков длин свободного пробега. Невидимому, вырываемые на этой глубине электроны получают значительную кинетическую энергию, которую постепенно теряют при ряде последовательных столкновений с тепловыми флуктуа-циями решетки или с другими неоднородностями. Такое предположение тем естественнее, что вероятная величина потери энергии при единичном столкновении соответствует одному фонону с энергией порядка нескольких сотых электроновольта. Электрон может испытать большое число столкновений и тем не менее сохранить еще энергию, необходимую для преодоления барьера.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Такая зависимость а от толщины слоя полупроводника и от угла падения электронов доказывает,  что образование вторичных электронов происходит в толще полупроводника;  эффективным оказывается поверхностный слой толщиной в несколько десятков длин свободного пробега.  Невидимому,  вырываемые на этой глубине электроны получают значительную кинетическую энергию,  которую постепенно теряют при ряде последовательных столкновений с тепловыми флуктуа-циями решетки или с другими неоднородностями.  Такое предположение тем естественнее,  что вероятная величина потери энергии при единичном столкновении соответствует одному фонону с энергией порядка нескольких сотых электроновольта.  Электрон может испытать большое число столкновений и тем не менее сохранить еще энергию,  необходимую для преодоления барьера.