Выдержка из книги
Иоффе А.Ф.
Полупроводники в современной физике
Такая зависимость а от толщины слоя полупроводника и от угла падения электронов доказывает, что образование вторичных электронов происходит в толще полупроводника; эффективным оказывается поверхностный слой толщиной в несколько десятков длин свободного пробега. Невидимому, вырываемые на этой глубине электроны получают значительную кинетическую энергию, которую постепенно теряют при ряде последовательных столкновений с тепловыми флуктуа-циями решетки или с другими неоднородностями. Такое предположение тем естественнее, что вероятная величина потери энергии при единичном столкновении соответствует одному фонону с энергией порядка нескольких сотых электроновольта. Электрон может испытать большое число столкновений и тем не менее сохранить еще энергию, необходимую для преодоления барьера.