Выдержка из книги
Федотов Я.А.
Полупроводниковые приборы и их применение Сборник статей Выпуск 28
На диффузионных диодах из GaAs избыточное шумовое излучение наблюдается только в области токов, где заметно проявляется диффузионная емкость, являющаяся мерой инерции инжектированных неосновных носителей. На диодах Шоттки из GaAs, у которых отсутствует инжекция неосновных носителей, избыточное шумовое излучение не наблюдается.