Представляется, что последовательное нанесение пленки a - Si и плаз-менно осажденного из газовой фазы подзатворного ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Хамакава И.N.
Аморфные полупроводники и приборы на их основе
Представляется, что последовательное нанесение пленки a - Si и плаз-менно осажденного из газовой фазы подзатворного диэлектрика является наиболее эффективным методом получения a - Si-ТПТ высокого качества. Считается, что это связано с малой плотностью поверхностных состояний на границе раздела a - Si / диэлектрик, что дает возможность использовать более низкие напряжения при работе прибора. Этот эффект более существенен для приборов с S-N - диэлектриком. Что касается второго критерия, то максимальные значения д, равные 0 56 и 1 9 см2 / ( В с), наблюдались в приборах с a - Si, полученных в дуговом разряде соответственно с термически выращенным SiO2 или плазменно осажденным из газовой фазы диэлектриком.