Представляется, что последовательное нанесение пленки a - Si и плаз-менно осажденного из газовой фазы подзатворного ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Хамакава И.N. Аморфные полупроводники и приборы на их основе


Представляется, что последовательное нанесение пленки a - Si и плаз-менно осажденного из газовой фазы подзатворного диэлектрика является наиболее эффективным методом получения a - Si-ТПТ высокого качества. Считается, что это связано с малой плотностью поверхностных состояний на границе раздела a - Si / диэлектрик, что дает возможность использовать более низкие напряжения при работе прибора. Этот эффект более существенен для приборов с S-N - диэлектриком. Что касается второго критерия, то максимальные значения д, равные 0 56 и 1 9 см2 / ( В с), наблюдались в приборах с a - Si, полученных в дуговом разряде соответственно с термически выращенным SiO2 или плазменно осажденным из газовой фазы диэлектриком.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Представляется,  что последовательное нанесение пленки a - Si и плаз-менно осажденного из газовой фазы подзатворного диэлектрика является наиболее эффективным методом получения a - Si-ТПТ высокого качества.  Считается,  что это связано с малой плотностью поверхностных состояний на границе раздела a - Si / диэлектрик,  что дает возможность использовать более низкие напряжения при работе прибора.  Этот эффект более существенен для приборов с S-N - диэлектриком.  Что касается второго критерия,  то максимальные значения д,  равные 0 56 и 1 9 см2 / ( В с),  наблюдались в приборах с a - Si,  полученных в дуговом разряде соответственно с термически выращенным SiO2 или плазменно осажденным из газовой фазы диэлектриком.