Выдержка из книги
Викулин И.М.
Физика полупроводниковых приборов
При соответствующей конструкции диода ( § 2.8) это излучение может быть выведено наружу. Следовательно, в р - i - - диоде с гетеропереходами снижаются оба вида потерь, что приводит к уменьшению тепловыделения. Поэтому такой диод может пропускать значительно большие плотности тока в прямом направлении, чем обычный. Обратное напряжение пробоя такой структуры так же велико, как в для обычного р - i-и-диода.
