Выдержка из книги
Киреев П.С.
Физика полупроводников
Таким образом, квазиимпульс меняется под действием непериодической части потенциального поля - ( v ( r) ] - Это означает, что при любых нарушениях идеальности поля решетки происходит изменение квазиимпульса Р и, следовательно, на любых нарушениях идеальной структуры решетки должно происходить рассеяние электронных волн. Такими нарушениями периодичности U ( r) являются тепловые колебания и дефекты решетки. Рассеяние на них является физической причиной конечного сопротивления электрическому току.
![Таким образом, квазиимпульс меняется под действием непериодической части потенциального поля - ( v ( r) ] - Это означает, что при любых нарушениях идеальности поля решетки происходит изменение квазиимпульса Р и, следовательно, на любых нарушениях идеальной структуры решетки должно происходить рассеяние электронных волн. Такими нарушениями периодичности U ( r) являются тепловые колебания и дефекты решетки. Рассеяние на них является физической причиной конечного сопротивления электрическому току.](/pic/5044301K6FZGZy0033373993.png)