Леман и Зигмунд [154] также теоретически показали, что картины пятен при распылении монокристаллов не обязательно ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Майссела Л.N.
Технология тонких пленок Часть 1
Леман и Зигмунд [154] также теоретически показали, что картины пятен при распылении монокристаллов не обязательно есть результат сфокусированных столкновений. Эти авторы пришли к выводу, что пятна распыленного материала являются следствием упорядоченности кристаллической структуры поверхности мишени. Интенсивность распыления имеет максимум для тех кристаллографических направлений, которым соответствует минимальная энергия выброса.
![Леман и Зигмунд [154] также теоретически показали, что картины пятен при распылении монокристаллов не обязательно есть результат сфокусированных столкновений. Эти авторы пришли к выводу, что пятна распыленного материала являются следствием упорядоченности кристаллической структуры поверхности мишени. Интенсивность распыления имеет максимум для тех кристаллографических направлений, которым соответствует минимальная энергия выброса.](/pic/5076727ETN2IdH0057138383.png)