Рассматриваются условия роста из газовой фазы кристаллических пленок и кристаллов карбида кремния. Определены различные области ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Александров Л.И. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Часть 1


Рассматриваются условия роста из газовой фазы кристаллических пленок и кристаллов карбида кремния. Определены различные области условий осаждения и растворения фазовых комплексов; построены границы этих областей для температур из диапазона 900 - 1800 С. Разработана методика, которая может быть использована и для анализа других процессов осаждения полупроводниковых и диэлектрических материалов из газовой фазы.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Рассматриваются условия роста из газовой фазы кристаллических пленок и кристаллов карбида кремния. Определены различные области условий осаждения и растворения фазовых комплексов; построены границы этих областей для температур из диапазона 900 - 1800 С. Разработана методика, которая может быть использована и для анализа других процессов осаждения полупроводниковых и диэлектрических материалов из газовой фазы.