При электронографическом изучении ориентированных осадков большое значение имеет точность измерения параметров решетки. Как известно, основные ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Палатник Л.С. Ориентированная кристаллизация


При электронографическом изучении ориентированных осадков большое значение имеет точность измерения параметров решетки. Как известно, основные трудности при этом возникают в связи со свойством рассеяния электронных волн высоких энергий под малыми углами и неточностью измерения длины электронной волны X. Обычно для уточнения значения К делаются дополнительные съемки калибровочных образцов ( эталонов) с известными параметрами. В качестве таких стандартных веществ используются тонкие слои осадков Т1С1, Nad, Аи и др. Ряд авторов в качестве калибровочных образцов используют кристаллы-подложки. Последний способ применим в том случае, если слой осадка достаточно тонкий и на электронограмме наблюдаются одновременно рефлексы от обоих веществ.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

При электронографическом изучении ориентированных осадков большое значение имеет точность измерения параметров решетки. Как известно, основные трудности при этом возникают в связи со свойством рассеяния электронных волн высоких энергий под малыми углами и неточностью измерения длины электронной волны X. Обычно для уточнения значения К делаются дополнительные съемки калибровочных образцов ( эталонов) с известными параметрами. В качестве таких стандартных веществ используются тонкие слои осадков Т1С1, Nad, Аи и др. Ряд авторов в качестве калибровочных образцов используют кристаллы-подложки. Последний способ применим в том случае, если слой осадка достаточно тонкий и на электронограмме наблюдаются одновременно рефлексы от обоих веществ.