Кроме того, при изменении параметра h / h вместе с нагрузкой Р меняются координаты точки ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Андреев А.Н. Многослойные анизотропные оболочки и пластины Изгиб,устойчивость,колебания


Кроме того, при изменении параметра h / h вместе с нагрузкой Р меняются координаты точки инициирования разрушения, а также и сам механизм его возникновения. Так, при 0 04 s h / h s 0 1 разрушение связующего начинается от осевых напряжений на поверхности z At второго слоя в окрестностях О s x s 0 01 / и 0 99 / s x / защемленных сечений. При 0 1 h / h s 0 32 разрушение связующего начинается в защемленных сечениях на поверхности z0 первого слоя также от осевых напряжений. При 0 32 h / h 0 37 разрушение связующего начинается на поверхности z hv первого слоя в окрестностях защемленных сечений. В этих точках вклад в квадратичную форму (2.2.3) ( ( аК с - Tf3v) осевых напряжений о соизмерим с вкладом поперечных сдвиговых напряжений TXZC. Наконец, при 0 37 s h / h s 0 46 наблюдается разрушение связующего от окружных напряжений о с, начинающееся на внешней поверхности z h третьего слоя в середине пролета оболочки.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Кроме того,  при изменении параметра h / h вместе с нагрузкой Р меняются координаты точки инициирования разрушения,  а также и сам механизм его возникновения.  Так,  при 0 04 s h / h s 0 1 разрушение связующего начинается от осевых напряжений на поверхности z At второго слоя в окрестностях О s x s 0 01 / и 0 99 / s x / защемленных сечений.  При 0 1 h / h s 0 32 разрушение связующего начинается в защемленных сечениях на поверхности z0 первого слоя также от осевых напряжений.  При 0 32 h / h 0 37 разрушение связующего начинается на поверхности z hv первого слоя в окрестностях защемленных сечений.  В этих точках вклад в квадратичную форму (2.2.3) ( ( аК с - Tf3v) осевых напряжений о соизмерим с вкладом поперечных сдвиговых напряжений TXZC.  Наконец,  при 0 37 s h / h s 0 46 наблюдается разрушение связующего от окружных напряжений о с,  начинающееся на внешней поверхности z h третьего слоя в середине пролета оболочки.