Для этого на поверхности сапфировой пластинки ( рис. 4.6) выращивается эпитаксиальная пленка кремния. Для создания ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Курносов А.И. Полупроводниковая микроэлектроника


Для этого на поверхности сапфировой пластинки ( рис. 4.6) выращивается эпитаксиальная пленка кремния. Для создания изолированных островков кремния пленку подвергают избирательному травлению. Если пленка обладает дырочной проводимостью, то р - / г-переходы создаются диффузией донорных и акцепторных примесей. Основное преимущество этого метода состоит в возможности создания СВЧ интегральных схем, ибо сапфир может быть использован в качестве отличного диэлектрика в полосковых линиях, соединяющих приборы. Паразитные емкости в этом случае малы и составляют всего лишь 0 05 пф на один р-л-переход.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Для этого на поверхности сапфировой пластинки ( рис. 4.6) выращивается эпитаксиальная пленка кремния. Для создания изолированных островков кремния пленку подвергают избирательному травлению. Если пленка обладает дырочной проводимостью, то р - / г-переходы создаются диффузией донорных и акцепторных примесей. Основное преимущество этого метода состоит в возможности создания СВЧ интегральных схем, ибо сапфир может быть использован в качестве отличного диэлектрика в полосковых линиях, соединяющих приборы. Паразитные емкости в этом случае малы и составляют всего лишь 0 05 пф на один р-л-переход.