Самопроизвольное возникновение центров кристаллизации вызывается флуктуациями - случайными отклонениями от равномерного распределения молекул или ионов ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Ягодин Г.А. Технология редких металлов в атомной технике


Самопроизвольное возникновение центров кристаллизации вызывается флуктуациями - случайными отклонениями от равномерного распределения молекул или ионов в растворе в результате теплового движения. Стремление сгустка молекул или ионов к росту ( вследствие уменьшения свободной поверхностной энергии) уравновешивается стремлением центра кристаллизации к распаду и переходу в раствор ( к выигрышу энтропии) при величине сгустка примерно 100 частиц. Однако для технологических растворов на стадии грубой очистки центры кристаллизации образуются на уже существующих поверхностях - пылинках, стенках аппаратов или специально вносимых затравках.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Самопроизвольное возникновение центров кристаллизации вызывается флуктуациями - случайными отклонениями от равномерного распределения молекул или ионов в растворе в результате теплового движения. Стремление сгустка молекул или ионов к росту ( вследствие уменьшения свободной поверхностной энергии) уравновешивается стремлением центра кристаллизации к распаду и переходу в раствор ( к выигрышу энтропии) при величине сгустка примерно 100 частиц. Однако для технологических растворов на стадии грубой очистки центры кристаллизации образуются на уже существующих поверхностях - пылинках, стенках аппаратов или специально вносимых затравках.