Выше указывалось, что в момент переключения транзистора в закрытое состояние потенциал эмиттера ниже потенциала базы ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Пайкин Э.М. Эксплуатация и ремонт электрооборудования автомобилей


Выше указывалось, что в момент переключения транзистора в закрытое состояние потенциал эмиттера ниже потенциала базы и, следовательно, к переходу эмиттер - база приложено обратное напряжение. Если бы потенциалы эмиттера и базы просто выравнивались ( что является вполне достаточным для прекращения тока в цепи базы), сказалось бы вредное влияние неуправляемых токов транзистора. Освобождение собственных носителей заряда в переходе база - коллектор создает неуправляемый обратный коллекторный ток / к.о. Диффузия носителей зарядов из эмиттера в базу создает неуправляемый начальный коллекторный ток / к ш проходящий через оба перехода. Отсутствие тока в цепи базы не препятствует возникновению неуправляемых токов. Если транзистор не нагрет, неуправляемые токи настолько малы, что не оказывают существенного влияния на его работоспособность. Однако при повышении температуры неуправляемые токи быстро возрастают, увеличивая нагрев транзистора. Повышение температуры, в свою очередь, вызывает увеличение неуправляемых токов, и таким образом этот процесс развивается лавинообразно, приводя в конечном результате к тепловому пробою транзистора. Обратное напряжение, приложенное к переходу эмиттер - база, создает электрическое поле, препятствующее возникновению неуправляемых токов, и обеспечивает работоспособность германиевого транзистора при повышении температуры в условиях эксплуатации. Способ защиты приложением обратного напряжения называется активным запиранием транзистора. Активное запирание применяется как в реле-регуляторе РР362, так и в транзисторных регуляторах напряжения других типов, а также в схеме контактно-транзисторного зажигания. В последнем случае активное запирание транзистора осуществляется импульсом обратного напряжения, создаваемого вспомогательным трансформатором в момент размыкания контактов.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Выше указывалось,  что в момент переключения транзистора в закрытое состояние потенциал эмиттера ниже потенциала базы и,  следовательно,  к переходу эмиттер - база приложено обратное напряжение.  Если бы потенциалы эмиттера и базы просто выравнивались ( что является вполне достаточным для прекращения тока в цепи базы),  сказалось бы вредное влияние неуправляемых токов транзистора.  Освобождение собственных носителей заряда в переходе база  -  коллектор создает неуправляемый обратный коллекторный ток / к.о. Диффузия носителей зарядов из эмиттера в базу создает неуправляемый начальный коллекторный ток / к ш проходящий через оба перехода.  Отсутствие тока в цепи базы не препятствует возникновению неуправляемых токов.  Если транзистор не нагрет,  неуправляемые токи настолько малы,  что не оказывают существенного влияния на его работоспособность.  Однако при повышении температуры неуправляемые токи быстро возрастают,  увеличивая нагрев транзистора.  Повышение температуры,  в свою очередь,  вызывает увеличение неуправляемых токов,  и таким образом этот процесс развивается лавинообразно,  приводя в конечном результате к тепловому пробою транзистора.  Обратное напряжение,  приложенное к переходу эмиттер  -  база,  создает электрическое поле,  препятствующее возникновению неуправляемых токов,  и обеспечивает работоспособность германиевого транзистора при повышении температуры в условиях эксплуатации.  Способ защиты приложением обратного напряжения называется активным запиранием транзистора.  Активное запирание применяется как в реле-регуляторе РР362,  так и в транзисторных регуляторах напряжения других типов,  а также в схеме контактно-транзисторного зажигания.  В последнем случае активное запирание транзистора осуществляется импульсом обратного напряжения,  создаваемого вспомогательным трансформатором в момент размыкания контактов.