На высокой частоте вследствие инерционности диффузионных процессов распределение концентрации носителей заряда в базе транзистора отличается ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Батушев В.А.
Электронные приборы
На высокой частоте вследствие инерционности диффузионных процессов распределение концентрации носителей заряда в базе транзистора отличается от статического.
