На высокой частоте вследствие инерционности диффузионных процессов распределение концентрации носителей заряда в базе транзистора отличается ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Батушев В.А. Электронные приборы


На высокой частоте вследствие инерционности диффузионных процессов распределение концентрации носителей заряда в базе транзистора отличается от статического.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

На высокой частоте вследствие инерционности диффузионных процессов распределение концентрации носителей заряда в базе транзистора отличается от статического.