Если примеси присутствуют в полупроводнике с непрямыми переходами, то, так как примесные состояния обычно связаны ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Горбачев В.В. Физика полупроводников и металлов 1976


Если примеси присутствуют в полупроводнике с непрямыми переходами, то, так как примесные состояния обычно связаны с экстремумами зон, описанные выше переходы примесь - дальняя зона будут также непрямыми. Межзонная излучательная рекомбинация, как и межзонное поглощение, в непрямозонных полупроводниках могут идти в основном только при участии фононов. В непрямых переходах с участием примесей избыток или недостаток импульса может компенсироваться локальными колебаниями атома примеси, но может также компенсироваться и участием различных фононов решетки кристалла. Например, в спектре примесного излучения в кремнии, легированном бором, можно различить две полосы, одна из которых соответствует переходам электронов из зоны проводимости на примесные уровни бора с участием ТА-фононов, а другая тем же переходам с участием ТО-фононов. Доля излучательности переходов в таких бесфононных переходах очень велика ( близка к 1) и было бы заманчиво использовать такие переходы, повышая концентрацию примесей, для получения интенсивного рекомбинационного излучения. Однако растворимость известных примесей с нужной энергией ионизации, к сожалению, довольно низкая.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Если примеси присутствуют в полупроводнике с непрямыми переходами,  то,  так как примесные состояния обычно связаны с экстремумами зон,  описанные выше переходы примесь  -  дальняя зона будут также непрямыми.  Межзонная излучательная рекомбинация,  как и межзонное поглощение,  в непрямозонных полупроводниках могут идти в основном только при участии фононов.  В непрямых переходах с участием примесей избыток или недостаток импульса может компенсироваться локальными колебаниями атома примеси,  но может также компенсироваться и участием различных фононов решетки кристалла.  Например,  в спектре примесного излучения в кремнии,  легированном бором,  можно различить две полосы,  одна из которых соответствует переходам электронов из зоны проводимости на примесные уровни бора с участием ТА-фононов,  а другая тем же переходам с участием ТО-фононов.  Доля излучательности переходов в таких бесфононных переходах очень велика ( близка к 1) и было бы заманчиво использовать такие переходы,  повышая концентрацию примесей,  для получения интенсивного рекомбинационного излучения.  Однако растворимость известных примесей с нужной энергией ионизации,  к сожалению,  довольно низкая.