При неоднородном распределении прямого или обратного тока наиболее сильно греются те участки структуры, плотность тока ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Евсеев Ю.А. Силовые полупроводниковые приборы


При неоднородном распределении прямого или обратного тока наиболее сильно греются те участки структуры, плотность тока в которых наибольшая. Поэтому, измерив температуру отдельных участков, можно судить и о распределении тока по ее площади. Структурная схема установки для регистрации теплового излучения мало отличается от приведенной на рис. 1.32. В качестве фотоприемника ФП в этом случае используется фоторезистор из германия, легированного золотом, который охлаждается жидким азотом. Перед ФП устанавливается фильтр из чистого германия, который поглощает рекомбинационное излучение. Благодаря этому площадь участка структуры, с которого регистрируется излучение, может быть меньше площади приемного окна фотоприемника.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

При неоднородном распределении прямого или обратного тока наиболее сильно греются те участки структуры, плотность тока в которых наибольшая. Поэтому, измерив температуру отдельных участков, можно судить и о распределении тока по ее площади. Структурная схема установки для регистрации теплового излучения мало отличается от приведенной на рис. 1.32. В качестве фотоприемника ФП в этом случае используется фоторезистор из германия, легированного золотом, который охлаждается жидким азотом. Перед ФП устанавливается фильтр из чистого германия, который поглощает рекомбинационное излучение. Благодаря этому площадь участка структуры, с которого регистрируется излучение, может быть меньше площади приемного окна фотоприемника.