Для изготовления излучателей используются полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, например: арсенид галлия, фосфид галлия, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы


Для изготовления излучателей используются полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, например: арсенид галлия, фосфид галлия, твердые растворы арсенид-фосфида галлия Ga ( Asi Px), карбид кремния и другие материалы. Для снижения безыз-лучательной рекомбинации носителей заряда лазеры из арсенида галлия охлаждаются до очень низких температур.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Для изготовления излучателей используются полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной,  например:  арсенид галлия,  фосфид галлия,  твердые растворы арсенид-фосфида галлия Ga ( Asi Px),  карбид кремния и другие материалы.  Для снижения безыз-лучательной рекомбинации носителей заряда лазеры из арсенида галлия охлаждаются до очень низких температур.