Для изготовления излучателей используются полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, например: арсенид галлия, фосфид галлия, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Пасынков В.В.
Полупроводниковые приборы
Для изготовления излучателей используются полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, например: арсенид галлия, фосфид галлия, твердые растворы арсенид-фосфида галлия Ga ( Asi Px), карбид кремния и другие материалы. Для снижения безыз-лучательной рекомбинации носителей заряда лазеры из арсенида галлия охлаждаются до очень низких температур.