В, ибо при меньших значениях оно будет соизмеримо с величиной падения напряжения на эмиттерном переходе ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Майоров С.А. ЭВМ справочник по конструированию


В, ибо при меньших значениях оно будет соизмеримо с величиной падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора. При больших Есы увеличивается напряжение ( / кбобр. Кроме того, следует учитывать, что эмиттерные переходы дрейфовых транзисторов характеризуются предельно допустимыми значениями UaQ0Qpmax порядка нескольких вольт.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В,  ибо при меньших значениях оно будет соизмеримо с величиной падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора.  При больших Есы увеличивается напряжение ( / кбобр.  Кроме того,  следует учитывать,  что эмиттерные переходы дрейфовых транзисторов характеризуются предельно допустимыми значениями UaQ0Qpmax порядка нескольких вольт.