Выдержка из книги
Майоров С.А.
ЭВМ справочник по конструированию
В, ибо при меньших значениях оно будет соизмеримо с величиной падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора. При больших Есы увеличивается напряжение ( / кбобр. Кроме того, следует учитывать, что эмиттерные переходы дрейфовых транзисторов характеризуются предельно допустимыми значениями UaQ0Qpmax порядка нескольких вольт.